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Transphorm, Inc. (TGAN)

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Börsenschluss: 04:00PM EDT
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Nachbörse: 04:02PM EDT
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Kurs Vortag4,8900
Öffnen4,8900
Gebot4,8600 x 600
Briefkurs4,8900 x 600
Tagesspanne4,8700 - 4,9000
52-Wochen-Spanne1,9400 - 4,9600
Volumen161.153
Durchschn. Volumen213.465
Marktkap.309,185M
Beta (5 J., monatlich)0,44
Kurs-Gewinn-Verhältnis (roll. Hochrechn.)N/A
EPS (roll. Hochrechn.)N/A
GewinndatumN/A
Erwartete Dividende & RenditeN/A (N/A)
Ex-DividendendatumN/A
1-Jahres-KurszielN/A
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Nachrichten
  • Business Wire

    Transphorm und Weltrend Semiconductor bringen neue integrierte GaN-System-in-Packages auf den Markt

    GOLETA, Kalifornien und HSINCHU, Taiwan, April 25, 2024--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN), ein weltweit führender Anbieter von robusten GaN-Leistungshalbleitern, und Weltrend Semiconductor Inc. (TWSE: 2436) der weltweit führende Anbieter von USB Power Delivery (PD) Controller Integrated Circuits (ICs) für Adapter, gaben heute die Verfügbarkeit von zwei neuen GaN-System-in-Packages (SiPs) bekannt. In Kombination mit dem im vergangenen Jahr vorgestellten GaN-SiP-Flaggschiffprodukt von Weltrend bild

  • Business Wire

    Transphorm auf der APEC 2024: SuperGaN Innovation für Niedrig- bis Hochspannungsanwendungen

    GOLETA, Kalif., February 06, 2024--Silver Partner Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)—global führend bei robusten GaN-Leistungshalbleitern —hat heute angekündigt, dass der Auftritt auf der APEC 2024 die führende Position des Unternehmens im Bereich Breitband (niedrige bis hohe Spannung) GaN-Spannungsumwandlung unterstreichen wird. Dank dieser Fähigkeiten ist Transphorm das einzige GaN-Halbleiterunternehmen, das die Vorteile der Leistung von GaN Herstellern von Systemen mit höherer Leistung zugänglic

  • Business Wire

    Transphorm stellt zwei 4-polige TO-247-Bauelemente vor und erweitert damit sein Produktportfolio für die Bereiche Hochleistungsserver, erneuerbare Energien und industrielle Energieumwandlung

    GOLETA, Kalifornien, January 17, 2024--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN), der weltweit führende Anbieter von robusten GaN-Leistungshalbleitern, gab heute die Verfügbarkeit von zwei neuen SuperGaN®-Bauelementen in einem 4-poligen TO-247-Gehäuse (TO-247-4L) bekannt. Die neuen FETs TP65H035G4YS und TP65H050G4YS bieten einen Durchlasswiderstand von 35 mOhm bzw. 50 mOhm und verfügen über einen Kelvin-Source-Anschluss, der den Kunden vielseitige Schaltmöglichkeiten bei noch geringeren Energieverlusten b