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Transphorm auf der APEC 2024: SuperGaN Innovation für Niedrig- bis Hochspannungsanwendungen

Silver Event Partner zeigt wachsendes GaN-Geräteportfolio und Innovationen mit Niedrig- bis Hochspannungslösungen, angefangen bei Flexiblen SuperGaN SiPs bis hin zu bahnbrechenden 2- und 3-rädrigen elektrischen Fahrzeugsystemen

GOLETA, Kalif., February 06, 2024--(BUSINESS WIRE)--Silver Partner Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)—global führend bei robusten GaN-Leistungshalbleitern —hat heute angekündigt, dass der Auftritt auf der APEC 2024 die führende Position des Unternehmens im Bereich Breitband (niedrige bis hohe Spannung) GaN-Spannungsumwandlung unterstreichen wird. Dank dieser Fähigkeiten ist Transphorm das einzige GaN-Halbleiterunternehmen, das die Vorteile der Leistung von GaN Herstellern von Systemen mit höherer Leistung zugänglich machen kann. Besucher können Transphorm während der Veranstaltung vom 25. bis 29. Februar am Stand 1813 besuchen.

In diesem Jahr wird Transphorm wichtige Innovationen vorstellen. Dazu gehören das erste 1200 V GaN-on-Sapphire Gerätemodell mit führender Kurzschlussfestigkeit . Das flexible SuperGaN® Geräteportfolio des Unternehmens wird auch im Mittelpunkt stehen. Darin enthalten sind die vor Kurzem angekündigten Pakete TO-247-4L, TOLL und TOLT, die eine komplette, flexible Paketauswahl für Systeme mit hoher Spannung bieten, die unterschiedliche Konfigurationen für die Kühlung benötigen. Demonstrationen vor Ort werden die Technik des Unternehmens an den unterschiedlichsten bahnbrechenden Stromsystemen vorführen, von der unterbrechungsfreien Hochleistungsversorgung in beide Richtungen bis hin zum Solarenergie-Mikro-Wechselrichter mit Unterbrechungen sowie 2- und 3-rädrige elektrische Fahrzeugsysteme.

Transphorm’s Fähigkeit, Kunden mit überlegenen GaN-Lösungen zu versorgen, die Wettbewerber schlagen (d.h. e-mode GaN, SiC, silicon) ist bedingt durch die zukunftsweisende SuperGaN-Plattform, die mit fundamentalen physikalischen Prozessen arbeitet. Transphorm stellt eine stromlos geschaltete d-Modus GaN-Technik in Kaskade her. Dank dieser Designkonfiguration können inhärente Plattformphänomene optimal funktionieren. Zu diesen Phänomenen gehören der 2DEG GaN HEMT-Kanal und die SiO2/Si Gate-Schnittstelle (erstellt durch die Niedrigspannungs-MOSFET zusammen mit Transphorm’s GaN HEMT). Hier kann das vor Kurzem vom Unternehmen erstellte White Paper heruntergeladen werden, in dem diese Vorteile erläutert werden: https://bit.ly/dmodeadvwp .

Eine Hauptplattform für das gesamte Leistungsspektrum

Transphorm ist der führende Hersteller von GaN-Spannungshalbleitern, der sich durch seine Technologien abhebt:

Produzierbarkeit: Vertikal integriert mit EPI-Design, Wafer-Verfahren und FET-Die-Design.

Design: Angebot von bekannten Industriestandardpaketen und Leistungspaketen und Partnerschaft mit bekannten global führenden Unternehmen für Firmware (Microchip Technology) und Hardwareintegration (Weltrend Semiconductor) für reibungslosen Einbau des Designs.

Fahrbarkeit: Angebot von Geräten, die wie Silikon betrieben werden, und die mit individuell angepassten Steuerelementen und Treibern ausgerüstet sind und nur eine minimale externe Schaltung benötigen.

Zuverlässigkeit: In der Branche noch immer führend mit einer FIT Rate von < 0,05 über mehr als 100 Milliarden Betriebsstunden bei Niedrig- bis Hochspannungsanwendungen.

Transphorm unterstützt heute fast alle Stromumwandlungsanforderungen (45 W bis 10+ kW) über ein breites Spektrum von Anwendungen hinweg. Das FET-Portfolio des Unternehmens umfasst 650 V- und 900 V-Geräte und 1200 V-Geräte sind in Entwicklung. Diese Geräte sind JEDEC und AEC-Q101 zertifiziert, weshalb sie sich sowohl optimal für Spannungsadapter und Computer PSUs als auch für breite industrielle UPSs und elektrische Antriebssysteme für Fahrzeuge eignen. Die Auswahl an Kundenprodukten, die auf der APEC ausgestellt werden, unterstreicht das breite Anwendungsfeld von Transphorm’s SuperGaN-Plattform.

Präsentationen

Experten von Transphorm werden vor Ort die folgenden Präsentationen abhalten:

Hochspannungs-GaN-Geräte und -Anwendungen
Trainingsseminar für Experten (S17): 26. Februar 26 um 8:30 Uhr
Specher: Davide Bisi, Member of Technical Staff, Office of the CTO; Philip Zuk, SVP Business Development and Marketing; Tushar Dhayagude, VP of Worldwide Sales and FAE

Der SuperGaN-Unterschied: Vorteile von stromlos geschalteten d-Modus GaN-Spannungshalbleitern
Ausstellerseminar: 27. Februar um 14:15
Sprecher: Jenny Cortez, Technical Sales Manager

GaN-Vierquadrantenschaltertechnologie für Mikro-Wechselrichter und Motorantriebe
Branchen Session (IS16.2): 28. Februar um 13:55 Uhr
Sprecher: Geetak Gupta, Member of Technical Staff, Office of the CTO

15-mΩ GaN-Gerät mit 5-μs Kurzschluss-Widerstandszeit
Branchen Session (IS22.6): 29. February um 10:55 Uhr
Sprecher: Davide Bisi, PhD, Member of Technical Staff, Office of the CTO

Treffen Sie uns

Wenn Sie während der Messe ein Treffen mit Transphorm vereinbaren möchten, dann wenden Sie sich an: vipin.bothra@transphormusa.com .

Über Transphorm

Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandler. Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauteile. Das Geschäftsmodell des Unternehmens für vertikal integrierte Geräte fördert Innovationen in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine um 50 % höhere Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, US-Bundesstaat Kalifornien, und betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen finden Sie auf www.transphormusa.com . Follow us on Twitter @transphormusa and WeChat at Transphorm_GaN.

Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene Handelsmarke von Transphorm, Inc. Alle anderen Handelsmarken sind das Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.

Originalversion auf businesswire.com ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20240206908689/de/

Contacts

Heather Ailara
+1.973.567.6040
heather.ailara@transphormusa.com