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Transphorm stellt zwei 4-polige TO-247-Bauelemente vor und erweitert damit sein Produktportfolio für die Bereiche Hochleistungsserver, erneuerbare Energien und industrielle Energieumwandlung

Neue FETs dienen als Original-Design-in-Option oder Drop-in-Ersatz für SiC

GOLETA, Kalifornien, January 17, 2024--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN), der weltweit führende Anbieter von robusten GaN-Leistungshalbleitern, gab heute die Verfügbarkeit von zwei neuen SuperGaN®-Bauelementen in einem 4-poligen TO-247-Gehäuse (TO-247-4L) bekannt. Die neuen FETs TP65H035G4YS und TP65H050G4YS bieten einen Durchlasswiderstand von 35 mOhm bzw. 50 mOhm und verfügen über einen Kelvin-Source-Anschluss, der den Kunden vielseitige Schaltmöglichkeiten bei noch geringeren Energieverlusten bietet. Die neuen Produkte werden in dem bewährten GaN-on-Silicon-Substrat-Herstellungsprozess von Transphorm gefertigt, der sich durch seine Kosteneffizienz und Zuverlässigkeit auszeichnet und gut für die Großserienfertigung auf Silizium-Produktionslinien geeignet ist. Der 50-mOhm-FET TP65H050G4YS ist bereits erhältlich, während der 35-mOhm-FET TP65H035G4YS derzeit bemustert wird und im ersten Quartal 2024 auf den Markt kommen soll.

Die 4-poligen SuperGaN-Bauelemente von Transphorm können als Original-Design-in-Option oder als Drop-in-Ersatz für 4-polige Silizium- und SiC-Lösungen dienen, die Stromversorgungen mit 1 Kilowatt und mehr in einer Vielzahl von Anwendungen in Rechenzentren, im Bereich der erneuerbaren Energien und in der Industrie unterstützen. Wie bereits erwähnt, bietet die 4-polige Konfiguration den Nutzern die Flexibilität, noch bessere Schaltleistungen zu erzielen. In einem hart geschalteten synchronen Aufwärtswandler verringerte der 4-polige SuperGaN-FET mit 35 mOhm die Verluste bei 50 Kilohertz (kHz) um 15 Prozent und bei 100 kHz um 27 Prozent, verglichen mit einem SiC-MOSFET-Bauelement mit vergleichbarem Durchlasswiderstand.

Die SuperGaN-FETs von Transphorm sind für ihre besonderen Vorteile bekannt, beispielsweise:

  • Branchenführende Robustheit mit einer Gate-Schwellenspannung von +/- 20 V und einer Störfestigkeit von 4 V.

  • Einfachere Designbarkeit durch Verringerung der erforderlichen Beschaltung des Bauelements.

  • Einfachere Steuerbarkeit, da FETs mit bekannten, handelsüblichen Treibern für Siliziumbauelemente kombinierbar sind.

Die TO-247-4L-Bauteile bieten die gleiche Robustheit, Designbarkeit und Steuerbarkeit und haben folgende Kernspezifikationen:

Teilenummer

Vds (V) min

Rds(on) (mΩ) typ

Vth (V) typ

Id (25°C) (A) max

Gehäusevariante

TP65H035G4YS

650

35

3,6

46,5

Source

TP65H050G4YS

650

50

4

35

Source

"Wir werden die Erweiterung unseres Produktportfolios fortsetzen, um GaN-FETs auf den Markt zu bringen, die den Kunden helfen, die Leistungsvorteile unserer SuperGaN-Plattform bei allen ihren Designanforderungen zu nutzen", sagte Philip Zuk, Senior Vice President, Business Development and Marketing, bei Transphorm. "Das vierpolige TO-247-Gehäuse bietet Entwicklern und Kunden, die eine noch größere Senkung der Leistungsverluste bei geringfügigen oder gar keinen Designänderungen in Silizium- oder Siliziumkarbid-Systemen anstreben, eine hohe Flexibilität. Dies ist eine wichtige Ergänzung unserer Produktlinie, da wir jetzt in Anwendungen mit höheren Leistungen vorstoßen."

Verfügbarkeit

Muster der 35-mOhm- und 50-mOhm-TO-247-4L-FETs sind auf Anfrage beim Vertriebsteam von Transphorm unter wwsales@transphormusa.com erhältlich. Datenblätter für die einzelnen Bauelemente sind unter den nachstehenden Links zu finden:

Über Transphorm

Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandler. Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauteile. Das Geschäftsmodell des Unternehmens für vertikal integrierte Geräte fördert Innovationen in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine um 50 % höhere Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, US-Bundesstaat Kalifornien, und betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen finden Sie auf www.transphormusa.com. Follow us on Twitter @transphormusa and WeChat at Transphorm_GaN.

Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene Handelsmarke von Transphorm, Inc. Alle anderen Handelsmarken sind das Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.

Originalversion auf businesswire.com ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20240117720372/de/

Contacts

Pressekontakt:
Heather Ailara
+1.973.567.6040
heather.ailara@transphormusa.com

Investorenkontakte:
David Hanover oder Jack Perkins
KCSA Strategic Communications
transphorm@kcsa.com