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Transphorm und Weltrend Semiconductor bringen neue integrierte GaN-System-in-Packages auf den Markt

Die SuperGaN-basierte SiP-Familie beinhaltet jetzt drei Bausteine und erweitert damit die Unterstützung von Leistungsklassen für eine breitere Palette von Adaptern und Ladegeräten der nächsten Generation

GOLETA, Kalifornien und HSINCHU, Taiwan, April 25, 2024--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN), ein weltweit führender Anbieter von robusten GaN-Leistungshalbleitern, und Weltrend Semiconductor Inc. (TWSE: 2436) der weltweit führende Anbieter von USB Power Delivery (PD) Controller Integrated Circuits (ICs) für Adapter, gaben heute die Verfügbarkeit von zwei neuen GaN-System-in-Packages (SiPs) bekannt. In Kombination mit dem im vergangenen Jahr vorgestellten GaN-SiP-Flaggschiffprodukt von Weltrend bilden die neuen Bauelemente die erste SiP-Produktfamilie auf Basis der SuperGaN®-Plattform von Transphorm.

In den neuen SiPs mit den Bezeichnungen WT7162RHUG24B und WT7162RHUG24C sind der Hochfrequenz-Multimode-Flyback-PWM-Controller mit QR-Modus und Valley-Switching von Weltrend und die SuperGaN-FETs von Transphorm mit 150 mΩ bzw. 480 mΩ integriert. Wie ihr 240-mΩ-Vorgänger (WT7162RHUG24A) lassen sich die Bausteine mit USB-PD- oder programmierbaren Stromadapter-Controllern kombinieren und bilden so eine Adapter-Komplettlösung. Bemerkenswert ist, dass sie außerdem mehrere innovative Funktionen bieten, darunter den UHV-Valley-Tracking-Lademodus, die adaptive OCP-Kompensation und die adaptive Green-Mode-Steuerung, die es den Anwendern ermöglichen, qualitativ hochwertige Stromversorgungen mit dem einfachsten Designansatz schneller und mit weniger Bauelementen zu entwickeln.

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"Die Markteinführung unseres ersten GaN-SiPs im vergangenen Jahr war ein wichtiger Meilenstein in der Entwicklung unseres Unternehmens. Dies war der Beginn einer neuen GTM-Strategie für den Markt der AC/DC-Wandlerbausteine", sagte Wayne Lo, Vice President of Marketing von Weltrend. "Die heutige Mitteilung bestätigt, dass wir diesen Bereich weiterhin mit einer breiteren Auswahl an Baugruppen bedienen werden, die mehr Produktleistungsklassen unterstützen. Eine Gesamtpaketlösung mit der SuperGaN-Plattform von Transphorm bietet ein einfaches Design mit unvergleichlicher Leistung für Bausteine, die jetzt von USB-C-PD-Stromadaptern mit gerade einmal 30 Watt bis zu Ladegeräten mit fast 200 Watt reichen - eine einzigartige Fähigkeit der GaN-Technologie von Transphorm."

Die Hersteller von Endprodukten suchen nach Möglichkeiten zur Entwicklung neuer Adapter, die geringere Stücklisten aufweisen und Vielseitigkeit, kurze Ladezeiten sowie höhere Ausgangsleistungen bieten. Darüber hinaus versuchen sie in vielen Fällen, universell einsetzbare Ladegeräte mit mehreren Anschlüssen und/oder mehreren Anschlussarten anzubieten, und all das bei einem kleinerem Formfaktor und geringerem Gewicht.

Einige der wichtigsten Vorteile der Normally-Off-D-Mode-SuperGaN-Plattform von Transphorm sind die im Branchenvergleich höchste Robustheit (+/- 20 V Gate-Spannungsbereich mit einer Störfestigkeit von 4 V) und Zuverlässigkeit (< 0,05 FIT) sowie die Möglichkeit, die Leistungsdichte gegenüber Silizium um 50 % zu erhöhen. Die eleganten SiP-Designs von Weltrend nutzen diese Vorteile zusammen mit den firmeneigenen innovativen Technologien, um eine quasi Plug-and-Play-Lösung zu schaffen, die den Entwicklungsprozess beschleunigt und zugleich den Formfaktor verkleinert.

"SiPs sind eine wichtige Option bei der Auswahl der Bauelemente, wenn es um die Anforderungen der Adapter- und Ladegerätehersteller geht", sagte Tushar Dhayagude, Vice President of Worldwide Sales and FAE von Transphorm. "Diese Systeme erfordern eine effektive Stromumwandlung, die zwar einfach zu bedienen ist und über integrierte Funktionen verfügt, aber auch die Lernkurven minimiert, um eine schnelle Einarbeitung zu gewährleisten. Schon der erste vorgestellte Baustein hat die Leistungsfähigkeit und Vielseitigkeit des SuperGaN-SiP-Konzepts bestätigt. Die heute angekündigten neuen Bauelemente verdeutlichen das wachsende Engagement unserer beiden Unternehmen, den Kunden eine große Auswahl zu bieten."

Wichtige Spezifikationen

 

 

WT7162RHUG24A

WT7162RHUG24B (neu)

WT7162RHUG24C (neu)

Rds(on)

240 mΩ

150 mΩ

480 mΩ

Vds min

650 V

Wirkungsgrad

> 93%

Leistungsdichte

26 W/in3

Max. Frequenz

180 kHz

Betrieb über weiten
Ausgangsspannungsbereich

USB-C PD 3,0
PPS 3,3 V~21 V

Gehäuse

24-poliges 8x8-QFN-Gehäuse

Schlüsselmerkmale

 

Merkmal

Vorteil

Einstellbare GaN-FET-Gate-Slew-Rate-Steuerung

Ausgewogenes Verhältnis zwischen Wirkungsgrad und EMI-Konformität

Kein externer VDD-Linearregler erforderlich
(700-V-Ultra-HV-Anlaufstrom wird direkt aus der AC-Netzspannung abgeleitet)

Geringere Anzahl von Bauelementen

Reduzierte Gehäuseinduktivität

Maximierung der Chipleistung

Passt in ein 8x8-QFN-FF-Standardgehäuse

Ermöglicht Systeme mit flachem Profil und geringem Platzbedarf

Zielanwendungen und Verfügbarkeit

Die SuperGaN-SiP-Familie von Weltrend ist für den Einsatz in leistungsstarken, flachen USB-C-Netzteilen für mobile und IoT-Geräte wie Smartphones, Tablets, Laptops, Kopfhörer, Drohnen, Lautsprecher, Kameras und mehr optimiert.

Weitere Spezifikationen zu den Bausteinen finden Sie in den Datenblättern hier:

Die beiden neuen Bausteine (WT7162RHUG24B und WT7162RHUG24C) werden derzeit bemustert. Wenden Sie sich an sales@weltrend.com.tw, um weitere Informationen zu erhalten.

Über Transphorm

Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandler. Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauteile. Das Geschäftsmodell des Unternehmens für vertikal integrierte Geräte fördert Innovationen in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine um 50 % höhere Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, US-Bundesstaat Kalifornien, und betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen finden Sie auf www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auch auf Twitter @transphormusa und WeChat unter Transphorm_GaN.

Über Weltrend Semiconductor Inc.

Weltrend Semiconductor, Inc. (TWSE: 2436) wurde 1989 im „Silicon Valley von Taiwan", dem Hsinchu Science Park, gegründet und ist ein führendes Fabless-Halbleiterunternehmen, das sich auf die Planung, Konstruktion, Prüfung und Anwendungsentwicklung sowie den Vertrieb von Mixed-Signal- und digitalen IC-Produkten in Netzteilen, Motorsteuerungen, Bildverarbeitung und mehr auf vielen Anwendungsgebieten spezialisiert hat. Weitere Informationen finden Sie unter www.weltrend.com.

Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene Marke von Transphorm, Inc. Alle anderen Marken sind Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.

Originalversion auf businesswire.com ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20240424112370/de/

Contacts

Pressekontakt:
Heather Ailara
+1.973.567.6040
heather.ailara@transphormusa.com