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Transphorm, Inc. (TGAN)
Nachbörse:
| Kurs Vortag | 4,8300 |
| Öffnen | 4,8300 |
| Gebot | 4,8400 x 600 |
| Briefkurs | 4,8600 x 600 |
| Tagesspanne | 4,8200 - 4,8650 |
| 52-Wochen-Spanne | 1,9400 - 4,9600 |
| Volumen | |
| Durchschn. Volumen | 224.630 |
| Marktkap. | 307,517M |
| Beta (5 J., monatlich) | 0,44 |
| Kurs-Gewinn-Verhältnis (roll. Hochrechn.) | N/A |
| EPS (roll. Hochrechn.) | -0,7000 |
| Gewinndatum | 25. Juni 2024 - 01. Juli 2024 |
| Erwartete Dividende & Rendite | N/A (N/A) |
| Ex-Dividendendatum | N/A |
| 1-Jahres-Kursziel | 5,55 |
Business WireTransphorm und Weltrend Semiconductor bringen neue integrierte GaN-System-in-Packages auf den Markt
GOLETA, Kalifornien und HSINCHU, Taiwan, April 25, 2024--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN), ein weltweit führender Anbieter von robusten GaN-Leistungshalbleitern, und Weltrend Semiconductor Inc. (TWSE: 2436) der weltweit führende Anbieter von USB Power Delivery (PD) Controller Integrated Circuits (ICs) für Adapter, gaben heute die Verfügbarkeit von zwei neuen GaN-System-in-Packages (SiPs) bekannt. In Kombination mit dem im vergangenen Jahr vorgestellten GaN-SiP-Flaggschiffprodukt von Weltrend bild
Business WireTransphorm auf der APEC 2024: SuperGaN Innovation für Niedrig- bis Hochspannungsanwendungen
GOLETA, Kalif., February 06, 2024--Silver Partner Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)—global führend bei robusten GaN-Leistungshalbleitern —hat heute angekündigt, dass der Auftritt auf der APEC 2024 die führende Position des Unternehmens im Bereich Breitband (niedrige bis hohe Spannung) GaN-Spannungsumwandlung unterstreichen wird. Dank dieser Fähigkeiten ist Transphorm das einzige GaN-Halbleiterunternehmen, das die Vorteile der Leistung von GaN Herstellern von Systemen mit höherer Leistung zugänglic
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GOLETA, Kalifornien, January 17, 2024--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN), der weltweit führende Anbieter von robusten GaN-Leistungshalbleitern, gab heute die Verfügbarkeit von zwei neuen SuperGaN®-Bauelementen in einem 4-poligen TO-247-Gehäuse (TO-247-4L) bekannt. Die neuen FETs TP65H035G4YS und TP65H050G4YS bieten einen Durchlasswiderstand von 35 mOhm bzw. 50 mOhm und verfügen über einen Kelvin-Source-Anschluss, der den Kunden vielseitige Schaltmöglichkeiten bei noch geringeren Energieverlusten b
