DAX
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Revasum, Inc. (RVS.AX)
| Kurs Vortag | 0,1150 |
| Öffnen | 0,1150 |
| Gebot | 0,0000 x 711300 |
| Briefkurs | 0,0000 x 3623100 |
| Tagesspanne | 0,1150 - 0,1150 |
| 52-Wochen-Spanne | 0,1086 - 0,2370 |
| Volumen | |
| Durchschn. Volumen | 3.500 |
| Marktkap. | 14,734M |
| Beta (5 J., monatlich) | 1,61 |
| Kurs-Gewinn-Verhältnis (roll. Hochrechn.) | N/A |
| EPS (roll. Hochrechn.) | N/A |
| Gewinndatum | N/A |
| Erwartete Dividende & Rendite | N/A (N/A) |
| Ex-Dividendendatum | N/A |
| 1-Jahres-Kursziel | N/A |
- PR Newswire
Revasum Inc und Asahi Diamond America, Inc schließen sich zusammen, um das Schleifen von Siliziumkarbid-Wafern zu revolutionieren
Revasum Inc, ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterfertigungsanlagen, und Asahi Diamond America, Inc, ein renommierter Anbieter von Diamant- und kubischen Bornitrid-Werkzeugen, freuen sich, ihre strategische Zusammenarbeit bekannt zu geben, die darauf abzielt, das Schleifen von Siliziumkarbid (SiC) Wafern zu verbessern.
- PR Newswire
Revasum, Inc. und Saint-Gobain Surface Solutions (SGSS) schließen sich zusammen, um die Schleiftechnologie für Siliziumkarbid-Wafer neu zu definieren
Revasum, Inc., ein führender Anbieter von fortschrittlichen Halbleiterfertigungsausrüstungen, freut sich, eine strategische Partnerschaft mit SGSS, einem weltweit führenden Anbieter von Hochleistungsmaterialien und innovativen Lösungen, bekannt zu geben. Die Partnerschaft zielt darauf ab, die Halbleiterindustrie durch die Entwicklung einer hochmodernen Serie von Schleifscheiben zu revolutionieren, die speziell für Siliziumkarbid (SiC)-Wafer konzipiert sind.
- PR Newswire
REVASUM (ASX: RVS) sichert sich eine Absichtserklärung zum Kauf eines 6EZ Siliziumkarbid CMP-Systems von SENIC, einem führenden Unternehmen für die Herstellung von Siliziumkarbid-Substraten in Cheonan, Südkorea
Dieser geplante Kauf, der im vierten Quartal 2023 an Senic ausgeliefert werden soll, stärkt die Position der 6EZ als die flexibelste chemisch-mechanische Planarisierungs-Plattform (Chemical Mechanical Polishing, CMP), die für die Herstellung von Siliziumkarbid (SiC)-Substraten und die Fertigung von Bauelementen wie SiC-basierten MOSFETs verfügbar ist.
