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Transphorm und Weltrend Semiconductor gehen Partnerschaft ein, um integriertes GaN System-in-Package herauszubringen

System-in-Package bietet eine kompakte, kostengünstige und schneller auf den Markt zu bringende Lösung für USB-C-PD-Adapter und andere Low-Power-Anwendungen

Transphorm präsentiert sich an Stand Nr. 853 auf der Applied Power Electronics Conference 2023

GOLETA, Kalifornien und HSINCHU, Taiwan, March 01, 2023--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) – ein Pionier und globaler Anbieter von hochzuverlässigen, leistungsstarken Galliumnitrid (GaN)-Stromumwandlungsprodukten – und Weltrend Semiconductor Inc. (TWSE: 2436), der weltweit führende Anbieter von USB Power Delivery (PD) Controller Integrated Circuits (ICs), gaben heute die Freigabe ihres ersten GaN System-in-Package (SiP) bekannt.

Der WT7162RHUG24A ist ein integrierter Schaltkreis, der für den Einsatz in 45- bis 100-Watt-USB-C-PD-Netzteilen zum Aufladen von Smartphones, Tablets, Laptops und anderen intelligenten Geräten ausgelegt ist. Er bietet eine Spitzenleistungseffizienz von mehr als 93 %. Mustergeräte werden im zweiten Quartal 2023 verfügbar sein.

Neben der Einführung eines neuen Produkts auf dem Markt markiert diese Ankündigung einen weiteren bedeutenden Meilenstein für Weltrend. Dieses neue GaN-SiP verdeutlicht nun durch das Angebot einer kompletten Systemlösung unter Verwendung der SuperGaN®-Technologie von Transphorm das Engagement von Weltrend auf dem Markt für AC-zu-DC-Stromversorgungen. Für Transphorm ist dies ein weiterer wichtiger Nachweis, der die Einfachheit der Schnittstelle und hervorragende Leistung seiner GaN-Geräte bestätigt.

Transphorm wird den Weltrend-SiP zum ersten Mal auf der Applied Power Electronics Conference (APEC) 2023 an Stand Nr. 853 präsentieren. In diesem Zusammenhang werden die Unternehmen auf der Veranstaltung auch Einzelheiten zum 65W USB PD Power Adapter Evaluation Board WTDB_008 bekannt geben.

„Der WT7162RHUG24A ist der branchenweit erste öffentlich bekannt gegebene SiP mit Transphorm-GaN. Er ermöglicht Herstellern, eine kostengünstigere Systemlösung zu entwickeln, da neben anderen Vorteilen weniger Komponenten erforderlich sind und eine kleinere Leiterplatte verwendet werden kann. Er verkürzt auch die Systementwicklungszeit. Letztendlich beseitigen wir Designbarrieren für Adapterhersteller", sagte Tony Lin, Präsident von Weltrend. „Bemerkenswerterweise wird Weltrend durch dieses Produkt auch ermöglicht, in einen neuen Markt vorzudringen. Es ist das allererste SiP für unsere PWM-Controller und belegt unser Engagement für die Unterstützung von Sektoren mit hohem Volumenwachstum. Und durch die GaN-FET-Integration haben wir das Leistungsniveau erhöht. Ein Gewinn für Welttrend, Transphorm und unsere gemeinsamen Kunden."

„Der Markt für Schnellladegeräte ist heute ein schnell wachsendes Segment für die Einführung von GaN. Wir gewinnen Marktanteile und setzen unsere Innovationen fort, zuletzt mit diesem GaN-SiP, das eine noch einfachere Verwendung unserer GaN-Geräte ermöglicht", sagte Primit Parikh, President und COO, Transphorm. „Wir freuen uns, unsere branchenführende SuperGaN-Plattform in die innovative Netzteil-Leistungsregler-Technologie von Weltrend zu integrieren. Weltrend stellt eine führende Leistungsumwandlungsplattform bereit, die eine benutzerfreundliche Lösung für Kunden von Netzteilen und Schnellladegeräten schafft, die beide Unternehmen nutzen können, um Gewinne auf diesem Markt voranzutreiben."

WT7162RHUG24A – Technische Daten und Merkmale

Im neuen SiP ist der Multimode-Flyback-PWM-Controller WT7162RHSG08 von Weltrend mit dem SuperGaN®-FET mit 240 Milliohm und 650 Volt von Transphorm integriert. Das oberflächenmontierbare Bauteil ist in einem 24-Pin-8x8-QFN-Gehäuse erhältlich, wodurch PCB-Platz gespart wird. Weitere wichtige Eckdaten:

  • Spitzenwirkungsgrad: > 93 %

  • Leistungsdichte: 26 W/in3

  • Betrieb mit breitem Ausgangsspannungsbereich: USB-C PD 3.0 und PPS 3,3 V ~ 21 V

  • Max. Frequenz: 180 kHz

  • Angezielte Topologie: Flyback mit QR-Modus/Valley-Switching-Multimodus-Betrieb

Zu den besonderen Merkmalen gehören:

Merkmal

Vorteil

Einstellbare Ein-/Ausschaltgeschwindigkeit des GaN-FET

Erhöht die Flexibilität der EMI-Prüfung und des Betriebs der Lösung

Keine externe VDD-Linearreglerschaltung erforderlich

Verringert die Anzahl der Komponenten

Weniger parasitäre Gehäuse (Induktivität, Widerstand, Kapazität)

Maximiert die Chipleistung

700-V-Ultra-HV-Startstrom, der direkt aus der Phase und dem Nulleiter der AC-Netzspannung bezogen wird

Verringert die Anzahl der Komponenten

Passt trotz zusätzlicher PWM-Chips in ein 8x8-QFN-Gehäuse

Ermöglicht niedriges Profil und kleine Grundfläche

Zielanwendungen und Verfügbarkeit

Der WT7162RHUG24A SiP ist für den Einsatz in leistungsstarken, flachen USB-C-Netzteilen für mobile und IoT-Geräte wie Smartphones, Tablets, Laptops, Kopfhörer, Drohnen, Lautsprecher, Kameras und mehr optimiert.

Wenn Sie das Gerät testen möchten, erkundigen Sie sich bitte bei sales@weltrend.com.tw nach der aktuellen Verfügbarkeit.

Über Transphorm

Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandler. Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das Geschäftsmodell des Unternehmens für vertikal integrierte Geräte ermöglicht Innovationen in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine 40 % höhere Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und verfügt über Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen finden Sie unter www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @Transphorm_GaN.

Über Weltrend Semiconductor Inc.

Weltrend Semiconductor, Inc. (TWSE: 2436) wurde 1989 im „Silicon Valley von Taiwan", dem Hsinchu Science Park, gegründet und ist ein führendes Fabless-Halbleiterunternehmen, das sich auf die Planung, Konstruktion, Prüfung und Anwendungsentwicklung sowie den Vertrieb von Mixed-Signal- und digitalen IC-Produkten in Netzteilen, Motorsteuerungen, Bildverarbeitung und mehr auf vielen Anwendungsgebieten spezialisiert hat. Weitere Informationen finden Sie unter: www.weltrend.com

Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene Marke von Transphorm, Inc. Alle anderen Marken sind Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.

Originalversion auf businesswire.com ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20230301005344/de/

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Heather Ailara
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