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Transphorm erweitert sein Angebot an Oberflächenmontagepaketen um den Industriestandard TO-263 (D2PAK) und erweitert damit die Vorteile der SuperGaN-Plattform

Neuer 50-mOhm-SuperGaN-FET vereinfacht und beschleunigt die Entwicklung von GaN-basierten Systemen mit höherer Leistung für Rechenzentren und breite industrielle Anwendungen

GOLETA, Kalifornien (USA), July 13, 2022--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) – ein Pionier und globaler Anbieter von hochzuverlässigen, leistungsstarken Galliumnitrid (GaN)-Leistungsumwandlungsprodukten – gab heute die Erweiterung seines Angebots an Oberflächenmontagegehäusen um das TP65H050G4BS bekannt. Das neue oberflächenmontierbare Bauteil (SMD) mit höherer Leistung ist ein 650-V-SuperGaN®-FET in einem TO-263 (D2PAK) mit einem typischen Einschaltwiderstand von 50 Milliohm. Es ist das siebte SMD von Transphorm und ergänzt eine breite Palette derzeit verfügbarer PQFN-Bauteile für Anwendungen mit niedriger bis mittlerer Leistung.

Der JEDEC-qualifizierte TP65H050G4BS bietet mehrere Vorteile für Designer und Hersteller, die Hochleistungssysteme (ein bis mehrere Kilowatt) entwickeln, die typischerweise in Rechenzentren und breiten industriellen Anwendungen verwendet werden. Es bietet die branchenführende Zuverlässigkeit, Gate-Robustheit (±20 Vmax) und Silizium-Rauschimmunitätsschwelle (4 V) von Transphorm zusammen mit dem einfachen Design und der Ansteuerbarkeit, die für seine GaN-Technologie gleichbedeutend sind. Ingenieure verwenden den größeren D2PAK dort, wo sowohl eine höhere Leistung als auch ein oberflächenmontiertes Gehäuse erforderlich sind, was eine bessere thermische Leistung gegenüber ermöglicht. Gehäuse vom PQFN-Typ bei gleichzeitiger Steigerung der Effizienz der Leiterplattenmontage durch die Verwendung eines einzigen Fertigungsablaufs.

Das D2PAK ist als diskretes Gerät erhältlich und wird auch auf einer vertikalen Tochterkarte bereitgestellt, um die Leistungsdichte des TDTTP2500B066B-KIT von Transphorm zu erhöhen – einer 2,5-kW-Wechselstrom-zu-Gleichstrom-Bridgeless-Totempfahl-Leistungsfaktorkorrektur (PFC)-Evaluierungsplatine. Es kann auch in das synchrone 1,2-kW-Halbbrücken-Evaluierungsboard TDHBG1200DC100-KIT eingebaut werden, um eine Leistung von mehreren Kilowatt zu treiben.

„Das D2PAK ist eine wichtige Ergänzung unseres Portfolios. Es erweitert die Verwendbarkeit unserer SMDs auf Hochleistungsanwendungen, wo wir diese zuvor mit Durchgangslochgeräten unterstützt haben", sagte Philip Zuk, SVP of Worldwide Marketing, Applications, and Business Development, Transphorm. „Dies ist ein weiterer Schritt, um Kunden dabei zu helfen, die Vorteile unserer GaN-Plattform mit vertrauten TO-XXX-Paketen zu nutzen, die Designherausforderungen eliminieren, die Systementwicklung vereinfachen und die Markteinführung beschleunigen."

Transphorm ist der einzige GaN-Anbieter, der derzeit Hochspannungs-GaN-Geräte in Standard-TO-XXX-Gehäusen anbietet. Insbesondere können diese Gehäuse aufgrund ihrer inhärenten Gate-Anfälligkeit für Beschädigungen nicht mit alternativer e-Mode-GaN-Technologie verwendet werden.

Verfügbarkeit

Die oben genannten Geräte- und Evaluierungsboards sind von Digi-Key und Mouser über die folgenden Links erhältlich:

Über Transphorm

Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen im Bereich der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Stromwandlungsanwendungen. Mit einem der größten Portfolios an geistigem Eigentum im Bereich Energie-GaN von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-zertifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das vertikal integrierte Geräte-Geschäftsmodell des Unternehmens ermöglicht Innovation in jeder Entwicklungsphase: Design, Herstellung, Geräte- und Anwendungssupport. Die Innovationen von Transphorm führen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, 40 % mehr Energiedichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und verfügt über Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen finden Sie auf www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.

Die SuperGaN-Marke ist eine eingetragene Marke von Transphorm, Inc. Alle anderen Marken sind Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.

Originalversion auf businesswire.com ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20220713005161/de/

Contacts

Ansprechpartnerin Presse:
Heather Ailara
211 Communications
+1.973.567.6040
heather@211comms.com

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