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Silanna Semiconductor und Transphorm entwickeln erstklassiges Referenzdesign für 65W-USB-C-PD-GaN-Adapter

·Lesedauer: 6 Min.

Die GaN-basierte Lösung von Transphorm liefert eine bahnbrechende Leistungsdichte von 30W/in3 und einen Wirkungsgrad von 94,5%

Transphorm, Inc. (OTCQB: TGAN)—ein Vorreiter und weltweiter Lieferant für hochzuverlässige, leistungsstarke Galliumnitrid (GaN)-Leistungswandlerprodukte—und Silanna Semiconductor, der führende Anbieter im Bereich Leistungsdichte, haben heute ein erstklassiges GaN-Stromadapter-Referenzdesign angekündigt. Die Lösung ist ein Open-Frame-USB-C-Power-Delivery (PD)-Ladegerät mit 65 W, das die SuperGaN®-Gen IV-Plattform von Transphorm mit dem proprietären „Active Clamp Flyback (ACF)"-PWM-Regler von Silanna Semiconductor kombiniert. Diese Technologien ergeben zusammen einen beispiellosen Spitzenwirkungsgrad von 94,5 Prozent mit einer Leistungsdichte von 30W/in3. Diese Leistungswerte übertreffen die derzeit verfügbaren konkurrierenden Lösungen mit Silizium-Superjunction-MOSFETs oder E-Mode-GaN-Transistoren und setzen darüber hinaus einen kleineren GaN-FET von Transphorm ein. Das universelle GaN-Adapterdesign von Silanna Semiconductor und Transphorm eignet sich ideal für die Stromversorgung von Laptops, Tablets, Smartphones und anderen IoT-Geräten.

Diese Pressemitteilung enthält multimediale Inhalte. Die vollständige Mitteilung hier ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20210518005456/de/

The new 65W USB-C PD GaN adapter reference design from Silanna Semiconductor and Transphorm delivers groundbreaking power density and efficiency for various electronic devices. (Photo: Business Wire)

Erstklassige Technologien für erstklassige Leistung

Das neue Referenzdesign basiert auf fortschrittlichen Technologien sowohl von Transphorm als auch von Silanna Semiconductor. Der SuperGaN-FET ist der TP65H300G4LSG von Transphorm, ein Bauelement mit 650 V und 240 mΩ in einem PQFN88-Gehäuse nach Industriestandard. Er nutzt die SuperGaN-Gen-IV-Plattform, die fortschrittliche Epi- und patentierte Design-Technologien zur Leistungssteigerung einsetzt. Der robuste GaN-FET verfügt zudem über die hohe, für Transphorm-Bauteile typische Zuverlässigkeit, einschließlich der branchenweit besten Gatestabilität. Und im Gegensatz zu E-Mode-Geräten sind keine externen Schutzschaltungen wie zusätzliche Bias-Schienen oder Pegelverschieber erforderlich—dies ist ein Vorteil, der zu einer höheren Effizienz führt. Zusammengenommen erhöhen diese und andere Merkmale die Gesamtleistungsdichte des Adaptersystems weiter und reduzieren die BoM-Kosten.

Der SZ1130 von Silanna Semiconductor ist der weltweit erste voll integrierte ACF-PWM-Regler, der einen adaptiven digitalen PWM-Regler, einen Active Clamp FET, einen Active Clamp Gate Driver und einen UHV-Startup-Regler integriert. Als ACF-Lösung liefert er eine höhere Leistung als konkurrierende quasi-resonante (QR) Regler und verfügt unter allen ACF-Reglern auf dem Markt über das schlichteste Design mit der kleinsten Leiterplattenfläche. Das technologieagnostische Design von Silanna Semiconductor konzentriert sich auf die ultimativen Herausforderungen des Energiemanagements mit der klassenbesten Leistungsdichte und Effizienz und begeistert die Kunden mit beispiellosen BoM-Einsparungen.

„Transphorm und Silanna Semiconductor bieten Best-in-Class-Performance in einer kompletten GaN-basierten Referenzlösung für USB-C-PD-Adapter-Kunden. Dazu kombinieren wir unsere SuperGaN®-Bauelemente mit dem neuartigen und hochintegrierten Active-Clamp-Flyback-Regler von Silanna Semiconductor", sagt Tushar Dhayagude, Vice President für den Bereich Field Applications und Technical Sales bei Transphorm. „Unsere GaN-FETs sind dafür bekannt, dass sie die Effizienz, die Verlustleistung und die Größe von Wechselstrom-/Gleichstrom-Ladegeräten verbessern, insbesondere im Vergleich zu konkurrierenden Lösungen auf Basis von e-mode GaN und integrierten GaN-ICs. Unsere Partnerschaft ist eine schlagkräftige Vereinigung zweier Innovationsführer, die den Einsatz von GaN in Netzteilen weltweit positiv beeinflussen wird."

„Unsere ACF-Regler sind vielseitig und bieten den Herstellern von Ladegeräten die Design-Flexibilität, um ihre bevorzugte FET-Technologie zu wählen. Der ACF-Regler liefert mit der Kombination aus unserem SZ1130 und dem TP65H300G4LSG von Transphorm einen Wirkungsgrad von 94,5 Prozent und erreicht damit eine branchenweit unerreichte Leistung", sagte Ahsan Zaman, Marketingdirektor von Silanna Semiconductor. „Wir bei Silanna Semiconductor freuen uns sehr, dass wir die Best-in-Class-Ergebnisse hinsichtlich Effizienz und Leistungsdichte weiter vorantreiben können, indem wir unser Wissen und unsere Expertise mit Partnern aus dem Technologie-Ökosystem bündeln, um einige der innovativsten Produkte der Welt zu liefern."

Verfügbarkeit

Der Schaltplan, die Designdateien und die Stückliste des 65-W-USB-C-PD-GaN-Netzadapter-Referenzdesigns sind bei den beiden Herstellern unter den unten genannten Namen erhältlich.

  • Silanna Semiconductor: RD-19 (Kontakt: sales@silanna.com)

  • Transphorm: TDADP-SIL-USBC-65W-RD (Download der Dateien hier)

Über Silanna Semiconductor

Der führende Anbieter in Sachen Leistungsdichte. Wir stellen uns der ultimativen Herausforderung im Bereich Energiemanagement und bieten eine erstklassige Leistungsdichte und Effizienz, die Kunden mit beispiellosen BoM-Einsparungen begeistert. Die AC/DC- und DC/DC-Leistungswandler-ICs von Silanna Semiconductor sind die treibende Kraft hinter wichtigen Innovationen in den Bereichen Reise- und Laptop-Adapter, Stromversorgung für Haushaltsgeräte, intelligente Stromzähler, Computer, Beleuchtung, industrielle Stromversorgung und Stromversorgung für Displays unter Verwendung der neuesten digitalen und analogen Steuerungs- und Gerätetechnologien. Zusätzlich zu unserem globalen technischen Vertriebsteam werden die Kunden von regionalen Designzentren und durch Online-Tools unterstützt. ‚Power Density Hero‘ ist ein Online-Design-Tool, in das der Kunde seinen Leistungsbedarf eingibt und sofort ein vollständiges Design, einen Schaltplan und eine Stückliste (BOM) erhält. Das Asian Center of Excellence (ACE) verfügt über ein engagiertes Team von Stromversorgungsingenieuren, die unsere Kunden bei ihren anwendungsspezifischen Designanforderungen unterstützen. Silanna Semiconductor mit Hauptsitz in San Diego, Kalifornien, ist ein privates Halbleiterunternehmen und unterhält globale Einrichtungen zur Unterstützung von Kunden mit Design-Zentren und Büros in Nordamerika, Europa, Asien und Australien.

Über Transphorm Inc.

Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen im Bereich der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Stromwandlungsanwendungen. Mit einem der größten Portfolios an geistigem Eigentum im Bereich Energie-GaN von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-zertifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das vertikal integrierte Geräte-Geschäftsmodell des Unternehmens ermöglicht Innovation in jeder Entwicklungsphase: Design, Herstellung, Geräte- und Anwendungssupport. Die Innovationen von Transphorm führen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, 40 % mehr Energiedichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und verfügt über Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen finden Sie auf www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und unter der WeChat-ID: TransphormGaN.

Die SuperGaN-Marke ist eine eingetragene Marke von Transphorm, Inc. Alle anderen Marken sind Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.

Originalversion auf businesswire.com ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20210518005456/de/

Contacts

Pressekontakt (Transphorm):
Heather Ailara
211 Communications
+1 973 567 6040
heather@211comms.com

Pressekontakt (Silanna Semiconductor)
Lexi Hatzi
Publitek
lexi.hatzi@publitek.com

Ansprechpartner für Investoren (Transphorm):
Shelton Group
Brett Perry | Leanne Sievers
+1 214 272 0070 | +1 949 224 3874
sheltonir@sheltongroup.com

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