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PCIM 2024: SuperGaN von Transphorm übertrifft SiC- und e-mode-GaN-Fähigkeiten in Hochleistungssystemen

Transphorm d-mode-Plattform ermöglicht marktübergreifende Stromversorgungssysteme mit geringeren Verlusten und höherer Leistung für Elektrofahrzeuge, Rechenzentren/AI und andere Bereiche, zusammen mit wegweisenden GaN-Produktinnovationen

GOLETA, Kalifornien, USA, May 20, 2024--(BUSINESS WIRE)--Wie Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN), der weltweit führende Anbieter robuster GaN-Leistungshalbleiter, heute mitteilte, wird die PCIM 2024 die Fähigkeit des Unternehmens demonstrieren, Wettbewerbertechnologien mit breitem Bandabstand in Hochleistungssystemen zu übertreffen. Beispielsweise bietet die SuperGaN®-Plattform von Transphorm im Normalbetrieb eine höhere Elektronenbeweglichkeit, durch die Übergangsverluste gegenüber Siliziumkarbid reduziert werden. Dadurch ist die Plattform eine kosteneffizientere und leistungsstärkere Lösung für verschiedene Elektrofahrzeuge, Rechenzentren/AI, Infrastruktur, erneuerbare Energien und weitere vielfältige industrielle Anwendungsbereiche. Um mehr zu erfahren, besuchen Sie Transphorm bei der PCIM vom 11. bis 13. Juni 2024, in Halle 7, Stand 108.

Transphorm SuperGaN FETs werden in einer Vielzahl von Kundenprodukten eingesetzt, die das gesamte Leistungsspektrum abdecken – von Netzteilen mit einer Leistung von 45 W bis hin zu Netzteilen mit 7,5 kW. Viele dieser Kundenprodukte sind die ersten öffentlich anerkannten GaN-basierten Systeme ihrer Art und demonstrieren auf einzigartige Weise die Vorteile, die nur dank der SuperGaN-Plattform möglich wurden. Zu den Beispielen gehört das oben erwähnte flüssigkeitsgekühlte 7,5-kW-Netzteil für unternehmenskritische Rechenzentrums- und Blockchain-Anwendungen, ein 2,7-kW-Server-CRPS mit einer Leistungsdichte von >82 W/Kubikzoll (die höchste in einem kommerziell erhältlichen GaN-Stromversorgungssystem) sowie 2,2-kW- und 3-kW-unterbrechungsfreie 1U-Stromversorgungen (USV) zur Rackmontage. Mit diesen Design-Wins beweist Transphorm seine Fähigkeit, die Anwendungsmöglichkeiten für GaN auf verschiedenen Märkte zu erweitern, die bis 2028 für GaN einen geschätzten adressierbaren Gesamtmarkt von 8 Milliarden US-Dollar aufweisen.

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Neben den praxistauglichen Kundenprodukten erzielt Transphorm weiterhin technologische Durchbrüche und hat zuletzt eine Kurzschlussfestigkeit von 5 Mikrosekunden, einen bidirektionalen Vier-Quadranten-Schalter und ein 1200-V-GaN-on-Sapphire-Bauelement vorgestellt.

Zu den Vor-Ort-Demonstrationen zählen Transphorm-Lösungen zum Einsatz in Ladegeräten für 2- und 3-Rad-Elektrofahrzeuge sowie Kundennetzteile für Erneuerbare-Energien-Systeme, Rechenzentren und vieles mehr.

Vortrag

Erfahren Sie mehr darüber, wie die GaN-Lösungen von Transphorm Technologien von Wettbewerbern übertreffen und branchenübergreifende Innovationen ermöglichen, bei Bodo’s Power Systems-Session.

Podiumsdiskussion: GaN-Wide-Bandgap-Design – die Zukunft der Stromversorgung
Redner: Philip Zuk, Senior Vice President, Geschäftsentwicklung und Marketing
Datum: 12. Juni
Uhrzeit: 14.20 bis 15.20 Uhr MESZ
Ort: Halle 7, Stand 743

Eine Kernplattform für das gesamte Leistungsspektrum

Transphorm ist das führende Unternehmen für GaN-Leistungshalbleiter und bietet Technologien mit folgenden Vorteilen:

Herstellbarkeit: Vertikal integriert mit eigenem EPI-Design, Wafer-Prozess und FET Die-Design.
Designbarkeit: Wir bieten bekannte Industriestandard- und Leistungspakete an und kooperieren mit globalen Kunden, um die Systementwicklung zu vereinfachen und zu beschleunigen.
Treiberfähigkeit: Die Geräte werden wie Silizium angesteuert und lassen sich mit handelsüblichen Controllern und Treibern kombinieren. Dabei werden nur minimale externe Schaltungen benötigt.
Zuverlässigkeit: Nach wie vor branchenführend mit einer aktuellen FIT-Rate von <0,05 bei mehr als 300 Milliarden Betriebsstunden in Anwendungen mit niedriger bis hoher Leistung.

Treffen Sie uns

Um einen Termin mit Transphorm während der Messe zu vereinbaren, wenden Sie sich bitte an vipin.bothra@transphormusa.com.

Über Transphorm

Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandler. Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauteile. Das Geschäftsmodell des Unternehmens für vertikal integrierte Geräte fördert Innovationen in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine um 50 % höhere Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, US-Bundesstaat Kalifornien, und betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen finden Sie auf www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auch auf Twitter @transphormusa und WeChat unter Transphorm_GaN.

Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene Handelsmarke von Transphorm, Inc. Alle anderen Handelsmarken sind das Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.

Originalversion auf businesswire.com ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20240520001814/de/

Contacts

Heather Ailara
+1.973.567.6040
heather.ailara@transphormusa.com