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Bel Power Solutions und Transphorm kündigen eine Produktfamilie von „Titanium Efficiency"-AC-DC-Netzteilen an

·Lesedauer: 5 Min.

Die TET-Serie mit 1,5 bis 3,2 kW ist die Antwort auf die steigende Nachfrage nach GaN-basierten Netzgeräten für Rechenzentren

Transphorm, Inc. (OTCQB: TGAN) – ein Pionier und Lieferant im Bereich der hochzuverlässigen, leistungsstarken Galliumnitrid (GaN)-Stromversorgungsprodukte – und Bel Power Solutions, ein Unternehmen der Bel-Gruppe (NASDAQ: BELFA und BELFB), gaben heute bekannt, dass sechs der „Titanium Efficiency"-Netzteile von Bel die Hochspannungs-GaN-FETs von Transphorm verwenden. Diese Nachricht deutet auf den wachsenden Trend hin, leistungsstarke Wide-Bandgap-Netzteile (PSUs) in Servern, Routern und Netzwerk-Switches von Rechenzentren einzusetzen.

Diese Pressemitteilung enthält multimediale Inhalte. Die vollständige Mitteilung hier ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20210119006063/de/

Transphorm's high voltage GaN devices are used in six of Bel Power's AC to DC TET Series power supplies, enabling Titanium efficiency power conversion for data centers. (Graphic: Business Wire)

Die sechs GaN-basierten Netzteile der TET-Serie sind AC-DC-Front-End-Netzteile. Sie umfassen die TET3000-Serie, die branchenweit ersten AC-DC-Netzteile mit Titanium-Effizienz, bei denen GaN in der brückenfreien AC-DC-Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektur-Endstufe (Power Factor Correction, PFC) verwendet wird – ein Produkt, das inzwischen unter Verwendung desselben Schaltkreises mit Firmware-Verbesserungen zur TET3200-Serie modifiziert wurde, um dem Kundeninteresse an einer höheren Ausgangsleistung gerecht zu werden. Die verbleibenden vier TET-Serien haben eine Leistung von 1,5 bis 2,5 kW und sind in standardmäßigen 1U- oder CRPS-Rackmount-Formfaktoren untergebracht. Die gesamte Familie liefert einen Wirkungsgrad von mehr als 96 Prozent bei hoher Leistung und einem Hauptausgang von 12 VDC, was den Netzteilen eine „80 Plus Titanium"-Bewertung einbrachte.

GaN: Revolutionierung der Stromversorgung im Rechenzentrum

Galliumnitrid-Leistungswandler bieten in Leistungsanwendungen grundlegende Vorteile im Vergleich zu Silizium (Si). Insbesondere erhöhen die GaN-FETs von Transphorm nachweislich den Wirkungsgrad der AC-DC-PFC-Stufe auf über 99 Prozent, wodurch die Leistungsdichte (mehr Leistung im gleichen Formfaktor) erhöht und gleichzeitig die Gesamtsystemkosten gesenkt werden – und das alles mit einer veröffentlichten Feldzuverlässigkeit von < 1,0 FIT.

Aufgrund dieser Vorteile wird erwartet, dass der Einsatz von GaN-Leistungstransistoren in den nächsten Jahren schnell ansteigen wird. So prognostizierte Omdia kürzlich, dass die kumulierte jährliche Wachstumsrate (CAGR) von GaN-Leistungstransistoren, die in Stromversorgungen für Rechenzentren verwendet werden, von 2019 bis 2024 66,5 Prozent betragen wird.

„Wir arbeiten schon lange mit großen Rechenzentren zusammen und haben einen Katalog mit zielgerichteten Stromversorgungslösungen erstellt, die das breite Spektrum der von unseren Kunden genutzten Anwendungen bedienen. Dabei nutzen wir modernste Technologien, um die bestmöglichen Leistungsergebnisse zu erzielen", sagt Ian Warner, Business Development Manager bei Bel Power Solutions. „Wir entwickeln nun schon seit mehr als sechs Jahren mit der GaN-Technologie von Transphorm. Die Effizienz und Zuverlässigkeit, die wir bisher erreichen konnten, hat uns geholfen, die TET-Produktfamilie zu entwickeln, die die Erwartungen unserer Kunden mit einer beispiellosen Lösung übertreffen konnte. Wir ändern, was in Rechenzentren möglich ist, und Transphorm trägt zu dieser Bewegung bei."

Die GaN-basierte TET-Produktfamilie

Transphorms GaN ist in mehreren TET-Serien erhältlich, die die Familie der „Titanium Efficiency"-Front-End-AC-DC-Netzteile von Bel bilden, darunter:

Serie

Leistung (kW)

Eingangsspannung (VAC)

Leistungsdichte (W/in3)

Formfaktor (mm)

TET1500

1,5

100 – 277

35

54,5 x 40,0 x 321,5

TET2000

2

90 – 264

48,5

86 x 40,0 x 195

TET2200

2,2

90 – 264

53,1

86,3 x 39,3 x 196,5

TET2500

2,5

90 – 264

62

86 x 40,0 x 195

TET3000

3

90 – 300

31,7

69 x 40,5 x 555

TET3200

3,2

90 – 300

33,9

555 x 69 x 40,5

„Wir haben in den letzten Jahren gesehen, wie Hochspannungs-GaN die Industrien positiv verändert hat", sagt Philip Zuk, VP für Worldwide Technical Marketing und NA Sales bei Transphorm. „Der Markt für Rechenzentren ist als nächstes an der Reihe. Die Technologie von Transphorm hat in verschiedenen Anwendungen eine Leistung von über 10 kW bewiesen. Die Kosten für unsere Geräte nähern sich mit jeder Generation immer mehr an das Niveau von Silizium an. Außerdem setzen wir in der Branche die Maßstäbe für Qualität und Zuverlässigkeit. In diesem Bereich sind wir unübertroffen, was unsere GaN-Bauteile zu einer optimalen Wahl für Rechenzentrumslösungen macht."

Über Bel

Bel (www.belfuse.com) entwickelt, fertigt und vermarktet eine breite Palette von Produkten, die elektronische Schaltkreise versorgen, schützen und vernetzen. Diese Produkte werden hauptsächlich in der Netzwerk-, Telekommunikations-, Computer-, Militär- und Raumfahrt-, Transport- und Rundfunkindustrie eingesetzt. Zu den Produktgruppen von Bel gehören die Bereiche Magnetic Solutions (Magnetische Lösungen: integrierte Steckermodule, Leistungstransformatoren, Leistungsinduktoren und diskrete Komponenten), Power Solutions and Protection (Stromversorgungslösungen und Schutz: platinenmontierte Front-End- und industrielle Stromversorgungsprodukte, Modulprodukte und Schaltkreisschutz) und Connectivity Solutions (Konnektivitätslösungen: erweiterte Glasfaser-, kupferbasierte, HF- und RJ-Steckverbinder und Kabelkonfektionen). Das Unternehmen unterhält Standorte auf der ganzen Welt.

Über Transphorm

Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen im Bereich der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Stromwandlungsanwendungen. Mit einem der größten Portfolios an geistigem Eigentum im Bereich Energie-GaN von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-zertifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das vertikal integrierte Geräte-Geschäftsmodell des Unternehmens ermöglicht Innovation in jeder Entwicklungsphase: Design, Herstellung, Geräte- und Anwendungssupport. Die Innovationen von Transphorm führen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, 40 % mehr Energiedichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und verfügt über Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa.

Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.

Originalversion auf businesswire.com ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20210119006063/de/

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Heather Ailara
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